Add slice die shot SEM

docs/course-c/25-architecture-and-systems/ic.md

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+# Circuits intégrés
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+La figure suivante montre les différentes couches d'un circuit intégré sur silicium. Chaque couleur représente une couche différente, avec en jaune la couche inférieure ou sont gravés les transistors.
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+![Vue d'un circuit au microscope électronique](/assets/images/die-sem.png)
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+Aujourd'hui, dans les process de fabrication les plus avancés basée sur la technologie *Extreme Ultraviolet Lithography* (EUV), les transistors sont gravés avec une finesse de 5 nm. Cela signifie que la distance entre deux transistors est de 5 nm. Pour donner un ordre de grandeur, un atome de silicium a un diamètre de 0.2 nm. Le processus de Lithography se répète jusqu'à 100 fois pour fabriquer un circuit intégré. Généralement seul les premières couches critiques sont gravées avec une finesse de 5 nm, les autres couches sont souvent plus épaisses.